晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构制备方法及半导体结构”

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202511632353.8，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，包括：提供衬底，衬底顶面包括栅介质层；于栅介质层顶面形成层间介电层，层间介电层内包括暴露出栅介质层的部分顶面的凹槽，凹槽底面包括底阻挡层，凹槽侧壁及底阻挡层顶面包括扩散阻挡层；形成覆盖扩散阻挡层的初始钛膜，基于惰性气体生成的等离子体刻蚀并去除位于凹槽底面的初始钛膜；在剩余目标钛膜表面形成目标密度的羟基和氨基；以含磷溶液处理剩余目标钛膜表面，形成包含钛、磷、氧的分子保护膜；在凹槽内，形成覆盖底阻挡层的功函数层后，形成覆盖功函数层及分子保护膜的粘附层；形成填满凹槽的栅导电层。至少能够有效避免出现栅结构填充物缺失的情况。

今年以来晶合集成新获得专利授权79个，较去年同期增加了163.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1632条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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